离子共价性及应用1. (3.5.)  3d和4f周期的反常现象

英文原版:Int. J. Mol. Sci. 2010, 11, 4381-4406. IC-Model Full-Text

离子共价性及应用

张永和 美国惠林研究院 yzhanghuilin@gmail.com

 

3.5.   3d 4f 周期的反常现象(P-块)

    如周期表和键参数函数表所示,ICXIC均不按主族自上而下地如期递减下来,As3+(IC = 3.364, XIC = 1.773) Bi3+(IC = 3.162, XIC = 1.690)反而比P3+(IC = 3.286, XIC = 1.741) Sb3+(IC = 3.036, XIC = 1.638)的预期值高。这明显的反常现象源自镓前的3d周期和铊前的4f周期的电子填充,由于3d4f电子屏蔽核电荷效率的不足而两者均分别导致有效核电荷比前周期较高。

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